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SAP HANA : Ready for the Persistent Memory Revolution

Le 05 mars 2022, par Marketing

La mémoire persistante Intel® Optane™ DC est une technologie mémoire innovante qui offre une combinaison unique de grande capacité abordable et de persistance des données, découvrez comment avec SAP HANA, vous pouvez résoudre les prochains défis en terme de gestion de très grand volume de données pour vos systèmes SAP.

La mémoire persistante (PMEM) d’Intel modifie considérablement la question de la hié-rarchisation des données en fusionnant les performances de la DRAM avec la persistance du stockage flash et sur disque, évitant la mise en place d’architectures de DATA Tiering complexes. Enfin contrairement à la DRAM, la mémoire persistante Intel Optane DC con-serve ses données si l’alimentation du serveur est perdue ou si le serveur redémarre, en maintenant des performances proches de la DRAM.

SAP HANA est le seul éditeur de base In Memory capable à ce stade d’exploiter le mode « Direct App » pour la mémoire persistante Optane d’Intel. En effet ce mode de fonctionne-ment est le seul qui tire véritablement parti des avantages de la PMEM avec une véritable persistance des données et des performances idéales grâce à une intégration optimisée.

Configurés en mode App Direct, les applications et le système d’exploitation sont explici-tement conscients qu’il existe deux types de mémoire de chargement / stockage direct sur la plate-forme et peuvent déterminer le type de données de lecture ou d’écriture qui con-vient à la DRAM ou à la mémoire persistante Intel® Optane ™ DC.

Les opérations nécessitant la latence la plus faible et ne nécessitant pas de stockage de données permanent peuvent être exécutées sur la DRAM, telles que les « blocs de travail » de la base de données.

Les données qui doivent être rendues persistantes ou les structures très volumineuses peuvent être acheminées vers la mémoire persistante Intel® Optane ™ DC.
Ainsi l’architecture logicielle de SAP HANA, qui permet de gérer toutes les structures de données non volatiles dans le « column store » de HANA, se prête particulièrement à tirer parti du mode « App direct ». Un niveau d’intégration élevé optimise de manière transpa-rente l’utilisation de la mémoire DRAM par rapport à la PMEM dans deux pools distincts et permet aux données de persister en mémoire, améliorant la continuité des activités avec des temps de chargement de données considérablement plus rapides au démarrage.

Et, lorsque l’on compare le traitement de données identiques et les charges de travail sur plusieurs millions de traitements, la performance de SAP HANA équipé de la mémoire Per-sistent atteint 99,7% de la performance du système équipé en DRAM uniquement.
Cette technologie offre des performances équivalentes à la DRAM, mais sans pertes d’informations au redémarrage des serveurs ou si le système est coupé. Outre les avan-tages de stockage, cette technologie offre des capacités de traitement et de calculs très per-formantes avec des coûts de fonctionnement bien plus raisonnables qu’un système qui se-rait basé sur la DRAM uniquement.

Avec une densité mémoire augmentée dans un ratio de 8:1, permettant d’augmenter la mémoire de 1,5 à 4,5 TB par CPU, de performances proches et d’une économie d’au moins 20% comparé à la DRAM standard, la mémoire persistante d’Intel alliée à SAP HANA 2.0 SPS 03, permet aussi de réduire considérablement les temps de démarrage des serveurs (de 50 à 4 minutes pour une base de données de 6 terabytes).

Une avancée majeure est également à noter pour les clients utilisant ou souhaitant évolués vers une infrastructure virtualisée. En effet SAP a validé il y a quelques jours (29/05/2020) la possibilité d’exploiter la mémoire persistante dans les environnements SAP HANA sur VmWare vSphere. Toutes les informations nécessaires à la mise en œuvre de PMEM sont consultables dans la note SAP 2913410.

 

Sources :
https://www.intel.com/content/www/us/en/big-data/partners/sap/persistent-memory-sap-hana-brief.html
https://www.sap.com/documents/2019/10/6a467fcb-6d7d-0010-87a3-c30de2ffd8ff.html

 

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